LABORATORY OF MOLECULAR BEAM EPITAXY

El laboratorio de MBE (epitaxia por haces moleculares o molecular beam epitaxy) es un servicio científico en el cual se realiza investigación propia y se da soporte a los proyectos que lo requieren, usando la instrumentación disponible para crecimiento de capas delgadas. Está dedicado al crecimiento de heteroestructuras y nanoestructuras de semiconductores del grupo IV, principalmente sobre substratos de Si. Los equipos principales que configuran el servicio son la cámara de vacío ultra-alto en la cual se puede evaporar Si mediante un haz de electrones. Se dispone de dos celdas de efusión de alta temperatura usadas para Ge y para B (dopante). Otros dopantes que pueden evaporarse son Sb (celda de baja temperatura) y P (generado por descomposición de GaP). También como dopante puede evaporarse C sublimando desde un filamento de grafito pirolítico. Los procesos se controlan por ordenador usando EpiCad y realizando control in-situ mediante un cuadrupolo de masas y RHEED (30 kV).